電子元器件介質(zhì)損耗測試儀生產(chǎn)廠家
產(chǎn)品概述
1電子元器件介質(zhì)損耗測試儀生產(chǎn)廠家產(chǎn)品特點
介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試儀讀書清晰,無須換算,操作簡便,特別適合電子元器件的質(zhì)量分析,品質(zhì)控制,科研生產(chǎn),也可用于高校的電子信息,電子通信,材料科學(xué)等專業(yè)作科研實驗儀器.
2電子元器件介質(zhì)損耗測試儀生產(chǎn)廠家.技術(shù)指標(biāo)
2.1 測量范圍及誤差
本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃,相對濕度為30%-80%條件下,應(yīng)滿足
下列表中的技術(shù)指示要求。
在Cn=100pF R4=3183.2(W)(即10K/π)時
測量項目 測量范圍 測量誤差
電容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgd 0~1 ±1.5%tgdx±0.0001
在Cn=100pF R4=318.3(W)(即1K/π)時
測量項目 測量范圍 測量誤差
電容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF
介質(zhì)損耗tgd 0~0.1 ±1.5%tgdx±0.0001
2.2 電橋測量靈敏度
電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測量準(zhǔn)確度,
希望電橋靈敏度達到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓,標(biāo)準(zhǔn)電容量
成正比。
在下面的計算公式中,用戶可根據(jù)實際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這
個水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。
DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)
式中:U為測量電壓 伏特(V)
ω為角頻率 2pf=314(50Hz)
Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量 皮法(pF)
Ig通用指另儀的電流5X10-10 安培(A)
Rg平衡指另儀內(nèi)阻約1500 歐姆(W)
R4橋臂R4電阻值3183 歐姆(W)
Cx被測試品電容值 皮法(pF)
2.3 電容量及介損顯示精度:
電容量: ±0.5%×tgδx±0.0001。
介 損: ±0.5%tgdx±1×10-4
2.4 輔橋的技術(shù)特性:
工作電壓±12V,50Hz
輸入阻抗>1012 W
輸出阻抗>0.6 W
放大倍數(shù)>0.99
不失真跟蹤電壓 0~12V(有效值)
2.5 指另裝置的技術(shù)特性:
工作電壓±12V
在50Hz時電壓靈敏度不低于1X10-6V/格, 電流靈敏度不低于2X10-9A/格
二次諧波 減不小于25db
三次諧波 減不小于50db
技術(shù)參數(shù):
1.Q值測量
a.Q值測量范圍:2~1023。
b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
c.標(biāo)稱誤差
頻率范圍(100kHz~10MHz): 頻率范圍(10MHz~160MHz):
固有誤差:≤5%±滿度值的2% 固有誤差:≤6%±滿度值的2%
工作誤差:≤7%±滿度值的2% 工作誤差:≤8%±滿度值的2%
2.電感測量范圍:4.5nH~7.9mH
3.電容測量:1~205
主電容調(diào)節(jié)范圍:18~220pF
準(zhǔn)確度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%
注:大于直接測量范圍的電容測量見后頁使用說明
4. 信號源頻率覆蓋范圍
頻率范圍CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,
CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,
5.Q合格指示預(yù)置功能: 預(yù)置范圍:5~1000。
6.B-測試儀正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃;
b.相對濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
7.其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
是根據(jù)GB/T 1409《測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的試驗方法》(等效采用IEC 60250)設(shè)計和制造的,并符合JB 7770等試驗方法。它適用于在高頻(1MHz)下絕緣材料的測試。
作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器,測試頻率上限達到目前高的160MHz。
1 雙掃描技術(shù) - 測試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動調(diào)諧搜索功能。
2 雙測試要素輸入 - 測試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。
3 雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧,數(shù)碼化電容調(diào)諧。
4 自動化測量技術(shù) -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。
5 全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。
6 DDS 數(shù)字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真,頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。
7 計算機自動修正技術(shù)和測試回路*化 —使測試回路 殘余電感減至zui低, Q 讀數(shù)值在不同頻率時要加以修正的困惑。
特點:
◆ 優(yōu)化的測試電路設(shè)計使殘值更小
◆ 高頻信號采用數(shù)碼調(diào)諧器和頻率鎖定技術(shù)
◆ LED 數(shù)字讀出品質(zhì)因數(shù),手動/自動量程切換
◆ 自動掃描被測件諧振點,標(biāo)頻單鍵設(shè)置和鎖定,大大提高測試速度
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售后服務(wù)
一、安裝調(diào)試:協(xié)助試驗機的安裝,負責(zé)試驗機的運輸、調(diào)試。
二、驗收標(biāo)準(zhǔn):試驗機按訂貨技術(shù)附件進行驗收。終驗收在買方進行,對用戶提供的試樣進行試驗,并提供測試報告。
三、培訓(xùn):安裝調(diào)試同時,在儀器操作現(xiàn)場一次性免費培訓(xùn)操作人員2-3名,該操作人員應(yīng)是由需方選派的長期穩(wěn)定的員工,培訓(xùn)后能夠?qū)υO(shè)備基本原理、軟件使用、操作、維護事項理解和應(yīng)用,使人員能夠獨立操作設(shè)備對樣品進行檢測、分析,同時能進行基本的維護。
四、軟件升級:終生免費提供新版本控制軟件。
保修:
1、設(shè)備保修兩年,終身售后服務(wù),兩年內(nèi)非人為損壞的零部件免費更換,保修期內(nèi)接到用戶邀請后, zui遲響應(yīng)時間為2小時內(nèi),在與用戶確認(rèn)故障后,我公司會在48小時內(nèi)派工程師到達現(xiàn)場進行免費服務(wù),盡快查清故障所在位置和故障原因,并向用戶及時報告故障的原因和排除辦法 。
2、保修期內(nèi)人為損壞的零部件按采購(加工)價格收費更換。
3、保修期外繼續(xù)為用戶提供優(yōu)質(zhì)技術(shù)服務(wù),在接到用戶維修邀請后3天內(nèi)派工程師到達用戶現(xiàn)場進行維修。并享有優(yōu)惠購買零配件的待遇。
4、傳感器過載及整機電路超壓損壞不在保修范圍內(nèi)。
標(biāo)準(zhǔn)配置:
高配Q表 一只
試驗電極 一只 (c類)
電感 一套(9只)
電源線 一條
說明書 一份
合格證 一份
保修卡 一份
使用方法
高頻Q表是多用途的阻抗測量儀器,為了提高測量精度,除了使Q表測試回路本身殘余參量盡可能地小,使耦合回路的頻響盡可能地好之外,還要掌握正確的測試方法和殘余參數(shù)修正方法。
1.測試注意事項
a.本儀器應(yīng)水平安放;
b.如果你需要較精確地測量,請接通電源后,預(yù)熱30分鐘;
c.調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時,當(dāng)接近諧振點時請緩調(diào);
d.被測件和測試電路接線柱間的接線應(yīng)盡量短,足夠粗,并應(yīng)接觸良好、可靠,以減少因接線的電阻和分布參數(shù)所帶來的測量誤差;
e.被測件不要直接擱在面板頂部,離頂部一公分以上,必要時可用低損耗的絕緣材料如聚苯乙烯等做成的襯墊物襯墊;
f.手不得靠近試件,以免人體感應(yīng)影響造成測量誤差,有屏蔽的試件,屏蔽罩應(yīng)連接在低電位端的接線柱。
2.高頻線圈的Q值測量(基本測量法)
特點:
◎ 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術(shù),使測Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。
◎ 能對固體絕緣材料在10kHz~120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測試。
◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,保證100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。
◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù):Q值,測試頻率,調(diào)諧狀態(tài)等。
◎ Q值量程自動/手動量程控制。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz測試信號。獨立信號 源輸出口,所以本機又是一臺合成信號源。
◎ 測試裝置符合國標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。
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滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006 測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在
內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法